distributeur français d’équipements et consommables pour l’industrie du Semiconducteur.

GRAVURE/USINAGE IONIQUE

IBE, RIBE et CAIBE

  • Enceintes sur-mesure
  • Source ICP (faisceau ionique de 10 cm à 30 cm au choix)
  • Densité de courant de 100 eV à 1500 eV)
  • Chargement auto ou manuel simple ou à partir de cassette 5 ou 25 wafers
  • Porte-substrat sur mesure
  • Dépôts statiques, dynamiques, planétaires ou oscillants (0° à 75°)
  • Température du substrat possible de +5° à +600°C
  • Jusqu’à 8 lignes de gaz disponibles
  • Sas possible
  • Possibilité de gravure anisotropique et contrôle de l’angle de gravure
  • Possibilité double-faisceau (gravure et dépôt/pulvérisation)
  • Pompage automatique
  • Système de détection de fin de gravure (ex : SIMS)
  • Wafer jusqu’à 300 mm (plus sur demande)