L'évaporation thermique et l'évaporation par faisceau d'électrons sont deux techniques essentielles pour créer des films minces. Dans l'évaporation thermique, des matériaux comme l'aluminium, l'or ou l'argent sont chauffés sous vide poussé jusqu'à leur évaporation, formant une fine couche sur le substrat. L'évaporation par faisceau d'électrons utilise un faisceau d'électrons focalisé pour obtenir le même résultat, permettant de déposer des matériaux à haute température à des vitesses variées, adaptées aux propriétés souhaitées du film.
Notre partenaire Elettrorava conçoit et fabrique en Italie des machines de dépôt de couches minces depuis plus de 35 ans.
THERMAL EVAPORATION (PVD) - ELECTRON BEAM EVAPORATION (EBPVD)
- Base pressure HV : < 1x10-6 mbar
- Base pressure UHV : < 1x10-9 mbar
- Pumping system : Turbomoléculaire, Cryo, TSP
- Sources :
- PVD : Bobines simples ou multiples, bateaux ou creusets
- EBPVD : Faisceau d'électrons simple ou multiple avec jusqu'à 8 creusets, puissance jusqu'à 15 kW
- Additional sources : Faisceau d'électrons, faisceau d'ions pour la gravure/déposition, cathodes de pulvérisation magnétron
- Deposition area : Jusqu'à 20”
- Substrate handling :
- Rotation : jusqu'à 50 tr/min, configuration planétaire en option
- Inclinaison: ±45°
- Décalage (Z ou X): jusqu'à 100 mm
- Process temperature : Jusqu'à 800 °C
- Reactive process : Un ou plusieurs gaz réactifs (02 , H2 , N2 , etc.)
- Thickness uniformity : Jusqu'à 3%
- Process control : Contrôleur d'épaisseur à quartz programmable et/ou moniteur optique in situ
- Substrate load : Manuelle dans la chambre principale ou par verrouillage de charge avec manipulateur manuel ou automatique
- Load lock : Verrous de charge simples ou multiples, pouvant être motorisés avec des supports de substrats multiples
- Multi wafer loading : En option, système de charge multiplaquettes jusqu'à 25 plaquettes
- Deposited materials : Métaux, oxydes, semi-conducteurs, organiques
- Particulièrement adapté pour lift-off
- Enceintes sur-mesure
- Traitement plasma, faisceau ionique (décapage ou assistance), oxydation ou recristallisation possibles
- Chargement auto ou manuel simple ou à partir de cassette 5 ou 25 wafers
- Chuck sur mesure (maintien par bride ou maintien électrostatique)
- Dépôts statiques, dynamiques, planétaires, double planétaires (satellitaire) et oscillants
- Sas possible
- Température du substrat possible de -60° à +1000°C
- Pompage automatique
- Possibilités multicouches avec multi-creusets
- Dopage possible
- Système de mesure d’épaisseur (interféromètre laser ou balance à quartz)
- Wafer jusqu’à 300 mm (plus sur demande)
