GRAVURE/USINAGE IONIQUE

IBE, RIBE et CAIBE

• Enceintes sur-mesure
• Source ICP (faisceau ionique de 10 cm à 30 cm au choix)
• Densité de courant de 100 eV à 1500 eV)
• Chargement auto ou manuel simple ou à partir de cassette 5 ou 25 wafers
• Porte-substrat sur mesure
• Dépôts statiques, dynamiques, planétaires ou oscillants (0° à 75°)
• Température du substrat possible de +5° à +600°C
• Jusqu’à 8 lignes de gaz disponibles
• Sas possible
• Possibilité de gravure anisotropique et contrôle de l’angle de gravure
• Possibilité double-faisceau (gravure et dépôt/pulvérisation)
• Pompage automatique
• Système de détection de fin de gravure (ex : SIMS)
• Wafer jusqu’à 300 mm (plus sur demande)