distributeur français d’équipements et consommables pour l’industrie du Semiconducteur.
distributeur français d’équipements et consommables pour l’industrie du Semiconducteur.
La technique de dépôt par CVD (Dépôt chimique en phase vapeur) est un procédé utilisé pour produire des matériaux solides de haute performance, et de grande pureté. Le substrat est exposé à un ou plusieurs précurseurs en phase gazeuse, qui réagissent et/ou se décomposent à la surface du substrat pour générer le dépôt désiré. Fréquemment, des sous-produits de réactions, eux-mêmes en phase gazeuse, sont produits et évacués par le flux gazeux qui traverse en continu la chambre de réaction.
La CVD est largement utilisée pour déposer des matériaux sous des formes variées : monocristallins, polycristallins, amorphes, épitaxiés. Ces matériaux incluent le silicium, la silice, le silicium-germanium, les carbures de silicium, du carbone diamant, les fibres, nanofibres, filaments, nanotubes de carbone, le tungstène, des matériaux à haute permittivité électrique, etc.
Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) thermique utilise des températures élevées pour déposer des films minces en réagissant des gaz avec un substrat, idéal pour des matériaux comme le silicium et le graphène.
Le CVD par métallo-organique (MOCVD) crée des films de haute pureté à l'aide de gaz métallo-organiques sous pressions modérées.
Le CVD assisté par plasma (PECVD) utilise le plasma pour déposer des films à des températures plus basses, tandis que le CVD à plasma inductif (ICP-CVD) permet une déposition à des températures encore plus basses, adaptée aux substrats sensibles comme les polymères.
Notre partenaire Elettrorava conçoit et fabrique en Italie des machines de dépôt de couches minces depuis plus de 35 ans.
Les équipements proposés sont flexibles pour la R&D et pour la production, et pour de multiples applications : optique, semi-conducteurs, médical, photovoltaïque, horlogerie de précision…
LPCVD, MOCVD, PECVD, ICPCVD
• Monochambre ou multichambres (cluster)
• Jusqu’à 12 lignes de gaz
• Précurseurs solides, liquides ou gazeux
• Enceintes sur-mesure
• Chargement auto ou manuel simple ou à partir de cassette 5 ou 25 wafers
• Chuck sur mesure
• Sas possible
• Pompage automatique
• Possibilités multicouches
• Dopage possible
• Système de mesure d’épaisseur (interféromètre laser ou balance à quartz)
• Wafer jusqu’à 300 mm (plus sur demande
• Température du substrat possible de +20° à +1000°C
