Fours pour process de recuit rapide, oxydation, nitruration, sulfuration, carburation, diffusion de dopants, cristallisation, densification et wafer bonding.
- Chargement auto ou sur demande manuel simple ou à partir de cassette 5 ou 25 wafers
- Ouverture frontale ou par le dessus (sécurité de blocage d’ouverture lors du process)
- Chauffage par rayonnement (lampes infrarouges en haut et en bas) jusqu’à 1200°C
- Uniformité de température < 1°C
- Process ultra contrôlé dans des conditions parfaitement répétables pour un résultat identique pour chaque process
- Jusqu’à 4 lignes de gaz
- Enceinte de sécurité autour du four pour process hydrogène
- Pression de 3.10-3 hPa jusqu’à 10-6 hPa
- Vitesse de montée en température : 100 °C/s max
- Vitesse de descente en température : 200 °C/min max
- Système ultra compact
- Ecran tactile de programmation
- Wafer jusqu’à 300 mm
