Le sputtering magnétron est une technique polyvalente pour créer des films minces en pulvérisant des atomes d'un matériau cible à l'aide d'un plasma d'argon. Elle permet de déposer une large gamme de matériaux, y compris des métaux et des semi-conducteurs. Le matériau éjecté forme une vapeur qui se condense en un film mince sur le substrat.
Le sputtering par faisceau d'ions (IBS) utilise un faisceau d'ions focalisé pour pulvériser le matériau cible sur un substrat. Le faisceau d'ions, généré dans une chambre à basse pression, assure un dépôt précis et contrôlé, améliorant la densité et la qualité du film. Des faisceaux d'ions supplémentaires peuvent affiner davantage les propriétés du film.
Le dépôt assisté par faisceau d'ions (IBAD) combine le dépôt de matériau avec un bombardement ionique simultané, améliorant la densité et les propriétés de surface du film. Cette technique est idéale pour les matériaux sensibles à la température et permet de contrôler la texture et la rugosité du film.
Notre partenaire Elettrorava conçoit et fabrique en Italie des machines de dépôt de couches minces depuis plus de 35 ans.
MAGNETRON SPUTTERING (MS) - ION BEAM SPUTTERING (IBS) - ION BEAM ASSISTED DEPOSITION (IBAD)
- Base pressure HV : < 1x10-6 mbar
- Base pressure UHV : < 1x10-9 mbar
- Pumping system :
- MS : Turbomoléculaire, Cryo, TSP
- IBS and IBAD : Turbomoléculaire, Cryo, TSP ou combiné Cryo/Turbo pour un vide et des procédés ultimes.
- Sources :
- MS : Monté en configuration simple, coplanaire, confocale ou verticale (simple ou multiple) DC, DC pulsé, RF, HIPIMS
- IBS : Simple ou double (avec ou sans grille) CC, CC pulsé, RF
- IBAD : Avec ou sans grille, DC, DC pulsé, RF
- Additional sources :
- MS : Evaporation, faisceau d'électrons, faisceau d'ions pour la gravure et le dépôt
- IBS : Evaporation, faisceau d'électrons, pulvérisation magnétron
- IBAD : Evaporation, faisceau d'électrons, pulvérisation magnétron, faisceau d'ions
- Deposition area : Jusqu'à 20”
- Substrate handling :
- Rotation: jusqu'à 50 tr/min, configuration planétaire en option
- Tilt: ±45°
- Décalage (Z or X): jusqu'à 100 mm
- Process temperature : Jusqu'à 800 °C
- Reactive process : Un ou plusieurs gaz réactifs (O2 , H2 , N2 , etc.)
- Thickness uniformity :
- MS : Jusqu'à 2%
- IBS and IBAD : Jusqu'à 1%
- Process control : Contrôleur d'épaisseur à quartz programmable et/ou moniteur optique in situ
- Substrate load : Manuelle dans la chambre principale ou par Load Lock avec manipulateur manuel ou automatique
- Load lock : Verrous de charge simples ou multiples, pouvant être motorisés avec des porte-substrats multiples
- Multi wafer loading : En option, système de charge multiplaquettes jusqu'à 25 plaquettes
- Deposited materials : Metals, Oxides, Nitrides, Carbides, Semiconductors, Carbon Based Materials
- Enceintes sur mesure (sputter-up ou sputter-down)
- Traitement plasma, faisceau d'ions (décapage ou assistance), oxydation ou recristallisation possible
- Traitement par plasma ou décapage ionique avant dépôt possible
- Chargement automatique ou manuel simple ou à partir d'une cassette de 5 ou 25 wafers
- Pulvérisation vers le haut ou vers le bas (sputter up/down)
- Cathode en configuration planaire ou confocale
- Pulvérisation réactive
- Support de substrat sur mesure (support par bride ou support électrostatique)
- Dépôts statiques, dynamiques, planétaires, doublement planétaires (satellites) et oscillants
- Biais RF du substrat avant et pendant le dépôt
- Possibilité de co-pulvérisation
- Système de mesure d'épaisseur (interféromètre laser ou balance à quartz)
- Wafer jusqu'à 300 mm (plus sur demande)
