PECVD (CCP-CVD, ICP-CVD et MWCVD), HWCVD, ECRCVD, HTCVD, MOCVD et ALD/PEALD
- Monochambre ou multichambres (cluster)
- Jusqu’à 12 lignes de gaz
- Précurseurs solides, liquides ou gazeux
- Enceintes sur-mesure
- Chargement auto ou manuel simple ou à partir de cassette 5 ou 25 wafers
- Chuck sur mesure
- Sas possible
- Température du substrat possible de +20° à +1000°C
- Pompage automatique
- Possibilités multicouches
- Dopage possible
- Système de mesure d’épaisseur (interféromètre laser ou balance à quartz)
- Wafer jusqu’à 300 mm (plus sur demande)
