CVD/PE CVD

PECVD (CCP-CVD, ICP-CVD et MWCVD), HWCVD, ECRCVD, HTCVD, MOCVD et ALD/PEALD

• Monochambre ou multichambres (cluster)
• Jusqu’à 12 lignes de gaz
• Précurseurs solides, liquides ou gazeux
• Enceintes sur-mesure
• Chargement auto ou manuel simple ou à partir de cassette 5 ou 25 wafers
• Chuck sur mesure
• Sas possible
• Température du substrat possible de +20° à +1000°C
• Pompage automatique
• Possibilités multicouches
• Dopage possible
• Système de mesure d’épaisseur (interféromètre laser ou balance à quartz)
• Wafer jusqu’à 300 mm (plus sur demande)