GRAVURE PLASMA
ICP/RIE/ICP-RIE/DRIE
- Jusqu’à 12 lignes de gaz
- Précurseurs solides, liquides ou gazeux
- Enceintes sur-mesure
- Chargement auto ou manuel simple ou à partir de cassette 5 ou 25 wafers
- Chuck sur mesure
- Sas possible
- Température du substrat possible de +20° à +1000°C
- Pompage automatique
- Possibilité de gravure sélective
- Possibilité de gravure à fort rapport d’aspect
- Système de détection de fin de gravure
- Wafer jusqu’à 300 mm (plus sur demande)
