GRAVURE PLASMA

ICP/RIE/ICP-RIE/DRIE

• Jusqu’à 12 lignes de gaz
• Précurseurs solides, liquides ou gazeux
• Enceintes sur-mesure
• Chargement auto ou manuel simple ou à partir de cassette 5 ou 25 wafers
• Chuck sur mesure
• Sas possible
• Température du substrat possible de +20° à +1000°C
• Pompage automatique
• Possibilité de gravure sélective
• Possibilité de gravure à fort rapport d’aspect
• Système de détection de fin de gravure
• Wafer jusqu’à 300 mm (plus sur demande)