GRAVURE PLASMA

REACTIVE ION ETCHING (RIE) - INDUCTIVE COUPLED PLASMA RIE (ICPRIE) - ION BEAM ETCHING (IBE)

Base pressure HV : < 1x10-6 mbar

Base pressure UHV : 

• RIE et ICPRIE : < 1x10-8 mbar
• IBE : < 1x10-9 mbar

Pumping system : 

• RIE et ICPRIE : Pompe primaire sèche, Pompe turbomoléculaire à vide poussé
• IBE : Turbomoléculaire, Cryo, TSP

Sources : 

• RIE : DC, DC pulsé, RF
• ICPRIE : Source de plasma à couplage inductif
• IBE : Source de faisceau d'ions (avec ou sans grille)
  

Additional sources :

• RIE : N/A
• ICPRIE : Source de plasma sur substrat
• IBE : N/A
  

Deposition area : Jusqu'à 12”

Substrate handling : 

• RIE et ICPRIE : N/A
• IBE : Rotation : jusqu'à 50 tr/min, configuration planétaire en option, Inclinaison : ±45°.Décalage (Z ou X) : jusqu'à 100 mm

Process temperature : 

• RIE, ICPRIE : Plage de température -40 °C et 400 °C
• IBE :  Plage de température: de -35 °C et 300 °C

Reactive process :

Un ou plusieurs gaz réactifs :

• RIE et ICPRIE : 02, H2, N2, C2H4, CF4, SF6, etc.
• IBE : O2 , H2 , N2 , etc.

Etching uniformity :

• RIE et ICPRIE : jusqu'à 10%
• IBE : jusqu'à 5%

Process control : Moniteur optique in situ ou spectroscopie d'émission optique

Substrate load : Manuelle dans la chambre principale ou par Load Lock avec manipulateur manuel ou automatique

Load lock : Verrous de chargement simples ou multiples, manuels ou motorisés avec porte-substrats multiples

Multi wafer loading : Système optionnel de cassettes multi-plaquettes jusqu'à 25 plaquettes

Etched materials :

• RIE et ICPRIE : métaux, oxydes, nitrures, carbures, semi-conducteurs, matériaux à base de carbone, organiques
• IBE : métaux, oxydes, nitrures, carbures, semi-conducteurs, matériaux à base de carbone

• Enceintes sur-mesure
• Source ICP (faisceau ionique de 10 cm à 30 cm au choix)
• Densité de courant de 100 eV à 1500 eV)
• Chargement auto ou manuel simple ou à partir de cassette 5 ou 25 wafers
• Porte-substrat sur mesure
• Dépôts statiques, dynamiques, planétaires ou oscillants (0° à 75°)
• Température du substrat possible de +5° à +600°C
• Jusqu’à 8 lignes de gaz disponibles
• Sas possible
• Possibilité de gravure anisotropique et contrôle de l’angle de gravure
• Possibilité double-faisceau (gravure et dépôt/pulvérisation)
• Pompage automatique
• Système de détection de fin de gravure (ex : SIMS)
• Wafer jusqu’à 300 mm (plus sur demande)