ALD thermique de paillasse à faible encombrement (38,1 cm ; 15″ de diamètre)
Évolutif avec l’option plasma, rétrofitable sur site.
Pour des substrats de 6″ de diamètre ou moins, avec des chucks personnalisables en option.
Chambre en aluminium à parois chaudes avec porte-échantillon chauffé de 40 à 400°C.
3 précurseurs organométalliques peuvent être chauffés à 185°C et un précurseur supplémentaire dans des conditions standard (extensible à 4, tous chauffés à 185°C)
Jusqu'à 4 sources d'oxydant/réducteur chacune avec des MFC ultra-rapides (2 standards)
Vannes ALD à impulsions rapides compatibles avec les hautes températures avec MFC ultrarapide pour la purge intégrée du gaz inerte
Exposition élevée disponible en mode de traitement statique
TA650P: système ALD plasma de paillasse
Source à cathode creuse de 300 watts à distance et à haut rendement
Caractéristiques : faible contamination par l'oxygène (dans les nitrures, etc.), haute densité d'électrons, faibles dommages causés par le plasma.
CHAMBRE
Températures du substrat de RT à 400°C ± 1 °C ; températures du précurseur de RT à 185°C ± 2°C (avec enveloppe chauffante)
Faible encombrement (15″ par 15″), installation sur paillasse et compatibilité totale avec les salles blanches.
Entretien simple du système et faible coût des consommables.
Conception rationalisée de la chambre et faible volume de la chambre
Possibilité de cycles rapides et de traitement à haute exposition et à fort relief.
Verrouillages HW et SW complets pour un fonctionnement sûr, même dans un environnement multi-utilisateurs.
LOGICIEL
Système PLC à interface homme-machine (IHM) avec écran tactile de 10 pouces
Commandes avancées adaptées au dépôt de cycles ALD standard ainsi que, par exemple, de nanolaminés, de couches minces dopées et de couches minces ternaires.
Base de données de recettes pour des processus testés et de haute qualité
Écran de saisie de recettes personnalisées
Affichage en temps réel de l'état du processus
Températures des sources chauffantes programmables individuellement
Séquences d'impulsions intégrées pour les composés ternaires et les nano-laminés
Fonctionnement rapide avec des questions simples pour lancer l'utilisateur
Saisie de sous-cycles et de cycles globaux
OPTIONS
Amélioration du plasma
Mandrin/plat personnalisé
ATOzone - générateur d'ozone (nécessaire pour certains films : Pt, Ir, SiO2, MoO2, Al2O3 de haute qualité en dessous de 60°C, HfO2 de haute qualité)
QCM (Microbalance à cristal de quartz)
Lignes de contre-réactifs supplémentaires (contrôlées par MFC) - jusqu'à 2 supplémentaires
4ème précurseur chauffé en option (185°C)
Contrôle externe - liaison PC/logiciel (permet la programmation et le fonctionnement à distance)
Régime de pression plus élevé que le régime standard
Systèmes personnalisés
UTILITES
Le gaz de purge N2 doit être >99,9995% avec une vanne d'arrêt (régulée à 10 - 30 psi, scellée en métal).
La ligne d'entrée est un raccord de compression VCR femelle ¼
Raccorder le gaz de purge d'azote (UHP) à > 99,9995 % via une conduite métallique de 1/4″ au raccord de compression 1/4″ à l'arrière.
Raccorder l'air sec propre (90-110 psi) via un tube de polyéthylène 1/4″ ou une conduite métallique à l'autre raccord de compression 1/4″ marqué CDA (Air sec propre).
Min 19,5cfm pompe lubrifiée (**fluide à vide PTFE (comme Fomblin) requis)
Connexion NW40 (1.5″) et également ligne d'échappement (avec un débit > 5cfm)
Au-delà d'un mètre, utiliser une conduite d'échappement NW50.
Les précurseurs se fixent à l'aide de coudes VCR femelles (toujours utiliser des joints neufs).
