Conçue pour répondre aux exigences strictes de l’industrie des semi-conducteurs, la machine d’inspection des particules de surface de wafer permet une détection rapide et précise des contaminants sur les plaquettes en verre ou miroir jusqu’à 12 pouces.
Dotée d’un système de balayage laser linéaire haute résolution, elle offre une analyse fine des défauts de surface tels que les poussières, les résidus de polissage ou les particules post-process.
Grâce à sa capacité à détecter des particules dès 0,1 µm et à analyser jusqu’à 3000 particules avec une tolérance statistique <±5 %, cette machine s’intègre parfaitement dans les protocoles de contrôle qualité des substrats semi-conducteurs, y compris en environnement salle blanche, jusqu’à ISO 6 selon les besoins de production.
- Technologie d’inspection : balayage laser linéaire à haute vitesse
- Taille des particules détectables : ≥ 0,3 μm
- Wafers pris en charge : jusqu’à 12 pouces, surface miroir
- Précision & répétabilité :1s < 0,3 μm
- Temps de mesure : ≤ 60 secondes par wafer
- Analyse complémentaire de la surface : disponible en +2 minutes pour cartographie complète
- Mesure de la densité particulaire : > 3 000 particules, tolérance < ±5 %
- Index de réfraction ajustable : compatible wafers et verre
- Sorties de données : carte de distribution 3D des particules, données de localisation précises
- Calibration KLA : mécanisme intégré de calibration croisée
- Conversion des signaux de diffusion lumineuse en taille de particule (échelle logarithmique)
- Régionalisation possible des mesures sur zones ciblées
- Support de wafers avec caractéristiques spécifiques (surface polie, film mince, gravure)
- Système compatible avec pastilles de calibration standards
- Plateau stéréoscopique 3D pour visualisation topographique des défauts
- Correction automatique des valeurs par comparaison à des références standard
- Intégration possible avec les systèmes MES pour traçabilité et reporting qualité