Fours de traitement et recuit (RTP et VPO)

Pour process de recuit rapide, oxydation, nitruration, sulfuration, carburation, diffusion de dopants, cristallisation, densification et wafer bonding

• Chargement auto ou sur demande manuel simple ou à partir de cassette 5 ou 25 wafers
• Ouverture frontale ou par le dessus (sécurité de blocage d’ouverture lors du process)
• Chauffage par rayonnement (lampes infrarouges en haut et en bas) jusqu’à 1200°C
• Uniformité de température < 1°C
• Process ultra-contrôlé dans des conditions parfaitement répétables pour un résultat identique pour chaque process
• Jusqu’à 4 lignes de gaz
• Enceinte de sécurité autour du four pour process hydrogène
• Pression de 3.10-3 hPa jusqu’à 10-6 hPa
• Vitesse de montée en température : 100 °C/s max
• Vitesse de descente en température : 200 °C/min max
• Système ultra compact
• Ecran tactile de programmation
• Wafer jusqu’à 300 mm